東京2026年6月22日 /美通社/ — 總部位於日本東京的嵌入式快閃記憶體IP（eFlash IP）開發商 Floadia Corporation（以下簡稱「Floadia」）宣佈，推出其最新的車規級eFlash IP——G1，該IP基於TSMC的180BCD Gen3工藝平臺實現。此次發佈的全新IP旨在滿足新一代汽車應用對可靠性和性能的嚴苛要求。
G1車規級eFlash IP集成了基於SONOS技術的256KB程式快閃記憶體巨集和1KB數據快閃記憶體巨集，為汽車積體電路提供高可靠性、高成本效益的非易失性存儲解決方案。G1 eFlash工藝是在TSMC的標準180BCD Gen3平臺基礎上進行添加，無需對原有PDK進行任何修改，使客戶能夠在使用同一經認證PDK的同時，將嵌入式快閃記憶體無縫集成至其設計中。該IP已在TSMC 180BCD Gen3平臺上成功通過AEC-Q100 Grade 1全套認證，充分驗證了其在嚴苛汽車工作條件下的穩定性，已具備量產條件。
該eFlash IP由以下部分組成：
– 256KB程式快閃記憶體（PFlash），用於代碼存儲
– 1KB數據快閃記憶體（DFlash），具備10萬次程式設計/擦除耐久性，可實現類似EEPROM的數據存儲功能
PFlash與DFlash均針對高速運行進行了優化，擦除時間最長不超過20毫秒，顯著提升了系統性能，並縮短了汽車系統中固件更新的時間。
為簡化系統集成，G1 eFlash IP內置了電荷泵，無需外部高壓電路。此外，PFlash與DFlash均為ECC接口提供了8位奇偶校驗碼，確保器件在整個生命週期內具備高數據完整性與可靠性。
憑藉其經過驗證的SONOS架構、快速擦除性能以及完整的車規級認證，Floadia基於TSMC 180BCD Gen3平臺的G1 eFlash IP非常適用于各類汽車應用，包括電源管理IC、電機驅動器、車身電子及其他汽車系統。
關於Floadia Corporation
Floadia Corporation成立於2011年，由一支經驗豐富的工程師團隊創立，團隊成員曾在Hitachi, Ltd. 和 Renesas Technology（現更名為Renesas Electronics Corporation）從事嵌入式非易失性存儲技術開發逾20年。Floadia專注於授權嵌入式非易失性記憶體的專有工藝技術與電路設計，該記憶體廣泛應用於微控制器、功率半導體、感測器及其他半導體器件。這些技術作為高價值知識產權（IP）提供給全球半導體製造商。
